[发明专利]栅驱动MOSFET的静电放电测试结构及系统有效
| 申请号： | 201010102369.5 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102136466A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱志炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/60;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅驱动MOSFET的静电放电测试结构，包括MOSFET和可调电阻，MOSFET的栅极与栅极焊盘连接，MOSFET的源极与源极焊盘连接，栅极焊盘与源极焊盘间连接可调电阻，可调电阻接入栅驱动MOSFET的静电放电测试结构的电阻值根据栅偏置的需要进行调节。本发明还公开了一种栅驱动MOSFET的静电放电测试系统。根据本发明的结构和系统能够有效减小栅驱动MOSFET的静电放电测试结构和系统在版图设计中占据的空间，提高栅驱动MOSFET的静电放电测试结构和系统的版图设计的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 mosfet 静电 放电 测试 结构 系统 | ||
【主权项】：
一种栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构，包括金属氧化物半导体场效应晶体管和可调电阻，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与栅极焊盘连接，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与源极焊盘连接，所述栅极焊盘与所述源极焊盘间连接所述可调电阻，所述可调电阻接入所述栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的电阻值根据栅偏置的需要进行调节。
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