[发明专利]非易失性存储器的测试方法有效
| 申请号： | 201010102373.1 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142283A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 谢君强;张启华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的测试方法，其包括：a，选定任意一条字线或位线上的一组非易失性存储单元；b，对该组非易失性存储单元中奇数位非易失性存储单元写入数据后，量测第一漏电流值；c，对该组非易失性存储单元中偶数位非易失性存储单元写入数据后，量测第二漏电流值；d，对该组非易失性存储单元均写入数据后，量测第三漏电流值；e，判断所述第一漏电流值与所述第二漏电流值之和与所述第三漏电流值的差是否在容许范围内，若不在容许范围内，则该非易失性存储器存在瑕疵，不适合继续进行可靠性测试，其中，步骤b、c、d的顺序能够互换。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的测试方法，用于判断所述非易失性存储器是否适合继续进行可靠性测试，所述非易失性存储器包括：多条字线；与所述多条字线交叉设置的多条位线；以及多个非易失性存储单元，其配置在所述多条字线和所述多条位线的各个交点处，每一非易失性存储单元具有浮置栅和控制栅，其特征在于，所述测试方法包括：a，选定任意一条字线或位线上的一组非易失性存储单元；b，对所述选定的一组非易失性存储单元中奇数位非易失性存储单元写入数据后，量测第一漏电流值；c，对所述选定的一组非易失性存储单元中偶数位非易失性存储单元写入数据后，量测第二漏电流值；d，对所述选定的一组非易失性存储单元均写入数据后，量测第三漏电流值；e，判断所述第一漏电流值与所述第二漏电流值之和与所述第三漏电流值的差是否在容许范围内，若不在容许范围内，则所述非易失性存储器存在瑕疵，不适合继续进行可靠性测试，其中，步骤b、c、d的顺序能够互换。
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