[发明专利]微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构有效
| 申请号： | 201010102404.3 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102136465A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋立飞;吴颜明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/93;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，包括：多个金属层和有源区，多个金属层包括顶金属层，与有源区连接的第1金属层和顶金属层与第1金属层之间的至少一个中间金属层，第1金属层包括一个回路，顶金属层分为四个互不相连的端口顶金属层区域，各区域下的中间金属层区域的范围均在相应端口顶金属层区域的范围内，接地端口顶金属层区域与其下的中间金属层区域和第1金属层的回路逐层连接，至少去除一层位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，断开信号端口顶金属层区域与第1金属层的连接。根据本发明的结构能够有效清除寄生电容，提高测试结构参数与实际电路参数的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 mos 变容管 变容二极管 开路 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述开路去嵌测试结构包括：多个金属层和有源区；所述多个金属层包括顶金属层，与所述有源区连接的第1金属层和所述顶金属层与所述第1金属层之间的至少一个中间金属层，所述第1金属层包括一个回路；所述顶金属层分为四个互不相连的区域，所述区域包括：分别与两个信号端口连接的两个信号端口顶金属层区域，及分别将位于所述两个信号端口连线方向同侧的两个相邻接地端口连接在一起的两个接地端口顶金属层区域；所述中间金属层包括与所述信号端口顶金属层区域相应的位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域和与所述接地端口顶金属层区域相应的位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域，所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域的覆盖范围均在相应的所述信号端口顶金属层区域和所述接地端口顶金属层区域的覆盖范围内；所述接地端口顶金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域和所述第1金属层的回路逐层连接；至少去除一层所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，实现断开所述信号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。
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