[发明专利]通过湿法刻蚀来制造具有浅沟槽隔离结构的硅片的方法无效
| 申请号： | 201010102405.8 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102136446A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚;刘轩;谢志勇;李娜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过湿法刻蚀来制造具有浅沟槽隔离结构的硅片的方法，该方法包括：提供硅衬底(100)，硅衬底(100)的前侧具有沟槽、前侧衬垫氧化硅层(101)、前侧氮化硅层(102)、形成在沟槽内的衬里氧化硅层(106)和填充有氧化硅的隔离区(105)；硅衬底(100)的背侧具有背侧衬垫氧化硅层(103)和背侧氮化硅层(104)；使用浓度为40重量％以上的氢氟酸来去除背侧氮化硅层(104)；然后使用浓度为80重量％以上且温度为150-180℃的热磷酸水溶液来去除前侧氮化硅层(102)，从而形成具有浅沟槽隔离结构的硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 湿法 刻蚀 制造 具有 沟槽 隔离 结构 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种通过湿法刻蚀来制造具有浅沟槽隔离结构的硅片的方法，该方法包括：提供前侧具有沟槽的硅衬底(100)，所述硅衬底(100)的前侧还具有前侧衬垫氧化硅层(101)、覆盖在前侧衬垫氧化硅层101上的前侧氮化硅层(102)、形成在所述沟槽内的衬里氧化硅层(106)和覆盖在衬里氧化硅层(106)上的填充有氧化硅的隔离区(105)，所述硅衬底(100)的背侧具有背侧衬垫氧化硅层(103)和覆盖在背侧衬垫氧化硅层(103)上的背侧氮化硅层(104)；使用浓度为40重量％以上的氢氟酸来去除背侧氮化硅层(104)；然后使用浓度为80重量％以上且温度为150‑180℃的热磷酸水溶液来去除前侧氮化硅层(102)，从而形成具有浅沟槽隔离结构的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
