[发明专利]一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明提出了一种制作半导体器件的方法，包括步骤：提供一基底；在基底上形成一层栅氧化层；在栅氧化层上形成栅极；在栅氧化层的侧壁与栅极的侧壁上沉积并刻蚀形成间隙壁绝缘层；在间隙壁绝缘层的侧壁上沉积并刻蚀形成间隙壁层；对基底进行离子注入工艺，形成源/漏极；在基底、栅极、间隙壁绝缘层以及间隙壁层上形成一层氮化钛层；在氮化钛层的表面形成一层镍层；对镍层进行离子注入工艺；对基底进行第一退火工艺，在氮化钛层之下的基底中形成硅化二镍层去除氮化钛层之上剩余的镍层与氮化钛层；对基底进行第二退火工艺，使硅化二镍层与基底反应，形成硅化镍层。根据本发明，能够有效克服“镍侵蚀”现象。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括步骤：提供一基底；在所述基底上形成一层栅氧化层；在所述栅氧化层上形成栅极；在所述栅氧化层的侧壁与所述栅极的侧壁上沉积并刻蚀形成间隙壁绝缘层；在所述间隙壁绝缘层的侧壁上沉积并刻蚀形成间隙壁层；对所述基底进行离子注入工艺，形成源/漏极；在所述基底、所述栅极、所述间隙壁绝缘层以及所述间隙壁层上形成一层氮化钛层；在所述氮化钛层的表面形成一层镍层；对所述镍层进行离子注入工艺；对所述基底进行第一退火工艺，在所述氮化钛层之下的所述基底中形成硅化二镍层；去除所述氮化钛层之上剩余的镍层与所述氮化钛层；对所述基底进行第二退火工艺，使所述硅化二镍层与所述基底反应，形成硅化镍层。