[发明专利]一种用于半导体工艺中的掩膜有效
| 申请号： | 201010102432.5 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102135724A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 田彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体工艺中的掩膜，所述掩膜具有在所述掩膜上不具有目标图案的位置处形成的至少一处具有重复图形的掩膜检测图案。本发明还提供了一种一种制作用于半导体工艺中掩膜的方法，在所述掩膜上不具有目标图案的位置处形成至少一处具有重复图形的掩膜检测图案。本发明还提供了一种采用上述掩膜来检测掩膜污染的方法，将所述掩膜检测图案转移到晶圆上，比较所述晶圆上的所述掩膜检测图案，所述晶圆上的所述掩膜检测图案的有图形不同情况，则可判定所述掩膜受到污染；或者所述晶圆上的所述掩膜检测图案不是所述重复图形时，则可判定所述掩膜受到污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺 中的 | ||
【主权项】：
一种用于半导体工艺中的掩膜，其特征在于，所述掩膜具有在所述掩膜上不具有目标图案的位置处形成的至少一处具有重复图形的掩膜检测图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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