[发明专利]气体流路结构体以及基板处理装置有效
申请号: | 201010102550.6 | 申请日: | 2010-01-22 |
公开(公告)号: | CN101853777A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 林大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种提供在确保气体流路的设置空间方面不存在布局上的问题且能随着可动的电极移动、切实地供给气体的可靠性较高的气体流路结构体以及具有该气体流路结构体的基板处理装置。基板处理装置包括:对内部减压的处理室;以使配置在处理室内的对置电极相对于载置电极移动的方式支承对置电极的轴;环状的第1波纹管,在轴贯穿处理室的壁面的贯穿部处吸收对置电极相对于壁面的位移,与轴同轴状配置在轴的外周部,密封处理室内以使处理室内免受轴的周边气氛影响;与第1波纹管同轴状地配置在第1波纹管的外周部的第2波纹管,利用第1波纹管和第2波纹管形成环状的气体流路。 | ||
搜索关键词: | 气体 结构 以及 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种气体流路结构体,其是基板处理装置的气体流路结构体,该基板处理装置包括:能够对内部进行减压的处理室、配置在该处理室内且用于载置被处理基板的载置电极、以及与该载置电极相对地配置的对置电极,该基板处理装置对经由气体流路供给到上述载置电极和上述对置电极之间的处理气体进行激励而产生等离子体,利用该等离子体对上述被处理基板实施等离子体处理,其特征在于,该气体流路结构体包括:支承构件,其以使上述载置电极和上述对置电极中的一方能相对于另一方移动的方式,对该上述载置电极和上述对置电极中的上述一方进行支承;第1位移吸收压力隔壁,其为环状,在该支承构件贯穿上述处理室壁面的贯穿部处吸收上述电极相对于上述壁面的位移,该第1位移吸收压力隔壁与上述支承构件同轴状地配置在该支承构件的外周部,以密封上述处理室内而使该处理室内免受上述支承构件的周边气氛影响;以及第2位移吸收压力隔壁,其为环状,与该第1位移吸收压力隔壁同轴状地配置在该第1位移吸收压力隔壁的外周部;利用上述第1位移吸收压力隔壁和上述第2位移吸收压力隔壁形成环状的第1气体流路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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