[发明专利]透明电极发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201010102725.3 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101789479A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王书方;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；氧化锌基透明电流扩展层是利用磁控溅射方法沉积在p型氮化镓表面；用湿法刻蚀将氧化锌透明导电层腐蚀掉，再利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。氧化锌材料湿法腐蚀简单，彻底、快捷。氧化锌透明电极提高了LED芯片光提取效率，从而提高LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 电极 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种透明电极发光二极管，包括：蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、透明电极(7)、n型金属电极(8)、p型金属电极(9)，其特征在于所述缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕。
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