[发明专利]一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201010102817.1 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN101771119A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 王书方;张建华 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/42;H01L33/38
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括:蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD),其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕;利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来,利用光刻胶掩膜的方法是利用磁控溅射方法沉积氧化锌基透明电流扩展层,然后再利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。该芯片制备工艺先进行p型氮化镓的刻蚀,再进行氧化锌透明电极的沉积,克服了氧化锌与氮化镓不同材料需分别刻蚀的问题。而且由于无须刻蚀氧化锌电极层,节约了工艺时间,简化了生产工艺,提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 氧化锌 透明 电极 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
一种氧化锌基透明电极发光二极管,包括:蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、透明电极(7)、n型金属电极(8)、p型金属电极(9),其特征在于所述缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕;所述透明电流扩展层(7)是氧化锌基透明导电薄膜,材质是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In;所述n型金属电极(8)是金属复合电极,该金属复合电极是Ti/Al或Cr/Pt/Au复合电极;所述n型金属电极(8)是具有如下特定形状:处于芯片对角上的圆台柱形;所述p型金属电极(9)是金属复合电极,该金属复合电极是Ni/Au或Cr/Pt/Au复合电极;所述p型金属电极(9)是具有如下特定形状的:为小圆台型,或呈对角线分布的多交叉枝型,或呈对角线分布的工字型。
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