[发明专利]具有大纵横比圆柱形电容器的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开具有大纵横比圆柱形电容器的半导体器件及其制造方法。所述大纵横比圆柱形电容器是不容易在防护环中产生阻挡物缺陷和损失的稳定结构。半导体器件包括圆柱形电容器结构、存储节点氧化物、防护环孔、导电层和覆盖氧化物。单元区域中的圆柱形电容器结构包括圆柱形下电极、电介质和上电极。存储节点氧化物位于半导体基板上的外围区域中。导电层涂覆在防护环孔中。防护环孔位于半导体基板上的外围区域中的与单元区域邻接的边界处。覆盖氧化物填充导电层内的一部分。间隙填充膜填充导电层内的剩余部分。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在限定有单元区域和外围区域的半导体基板上沉积存储节点氧化物和支撑膜；蚀刻所述支撑膜和所述存储节点氧化物，以在所述单元区域中形成多个存储节点孔并在所述外围区域的与所述单元区域邻接的边界处形成防护环孔；在所述存储节点孔中形成多个圆柱形下电极并且同时在所述防护环孔中形成导电层；沉积覆盖氧化物，使所述覆盖氧化物完全填充所有所述存储节点孔并且填充所述防护环孔的一部分；沉积间隙填充膜以完全填充所述防护环孔的剩余部分；将所述单元区域中的多个下电极间隔开；将所述支撑膜图案化以移除所述单元区域中的支撑膜；以及执行湿式浸出工序以移除所述单元区域中的存储节点氧化物，以形成圆柱形下电极。