[发明专利]增益数字可调的全差分射频CMOS驱动放大器无效
申请号: | 201010103629.0 | 申请日: | 2010-02-01 |
公开(公告)号: | CN102142821A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 徐萍;蒋颖丹;赖宗声;胡晓;黄飞;任旭;张润曦 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董红曼 |
地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种全差分驱动放大器,该驱动放大器在传统驱动放大器的基础上,将驱动放大器的输入级再添加N个并行排列的输入晶体管,即输入级由N+1个并行排列的晶体管构成。这N+1个并行排列的输入管的工作状态通过N+1个控制端口进行控制,从而实现增益多级数字可调。 | ||
搜索关键词: | 增益 数字 可调 全差分 射频 cmos 驱动 放大器 | ||
【主权项】:
一种全差分驱动放大器,含第一支路(I‑Branch),第二支路(Q‑Branch),第一支路(I‑Branch)和第二支路(Q‑Branch)的结构完全相同,第一支路(I‑Branch)有输入端口(VIN)、输出端口(OUT),偏置电压1(VBias1)输入端口,第一MOS管(M1),第二MOS管(M2),第一电容(C1),第二电容(C2),第三电容(C3),第一电阻(R1),第一电感(Lg),第二电感(Ls),第三电感(Lload),第三电感(Lload)、第二MOS管(M2)、第一MOS管(M1)、第二电感(Ls)跨接在电源正端(VDD)和电源负端(GND)之间:第三电感(Lload)的一端与电源正端(VDD)连接,第三电感(Lload)的另一端与第二MOS管(M2)的漏极连接,第二MOS管(M2)的源极与第一MOS管(M1)的漏极连接,第一MOS管(M1)的源极与第二电感(Ls)的一端连接,第二电感(Ls)的另一端与电源负端(GND)连接,第二MOS管(M2)的栅极与电源正端(VDD)连接,第一电感(Lg)的一端作为第一支路(I‑Branch)的信号输入端(VIN),第一电感(Lg)的另一端与第一电容(C1)的一端连接,第一电容(C1)的另一端与第一MOS管(M1)的栅极连接,第一电阻(R1)的一端与第一MOS管(M 1)的栅极连接,第一电阻(R1)的另一端作为第一MOS管(M1)的栅极的偏置电压1(VBias1)的输入端,第二电容(C2)的一端与第二MOS管(M2)的漏极连接,第二电容(C2)的另一端与电源负端(GND)连接,第三电容(C3)的一端与第二MOS管(M2)的漏极连接,第三电容(C3)的另一端作为第一支路(I‑Branch)的输出端(OUT),其特征在于,所述第一支路、第二支路还分别包含:N个与C1、M1、R1构成的结构并联的、构成相同的结构,N为大于等于1的正整数;N+1个控制端Ctri,i=1‑N+1,其中,所述第一支路和第二支路的对应的偏置电压输入端相连,并且连接点作为各控制端Ctri的输入端。
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