[发明专利]显示器件的制造方法和显示器件无效
申请号: | 201010104368.4 | 申请日: | 2010-02-02 |
公开(公告)号: | CN101800195A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 舆石亮;古立学 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/32;H01L23/528;G09G3/30;G09G3/20 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了显示器件的制造方法,在该制造方法中可以修复在布线板的电容器中或在布线的交叉部中形成的层间短路,并且本发明还提供了显示器件。上述显示器件的制造方法包括以下步骤:形成布线板,所述布线板在基板上依次设有下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜;修复层间短路,所述层间短路是在所述上层导电膜与所述下层导电膜之间发生的短路;以及在所述布线板上形成显示元件。在修复所述层间短路的步骤中,将脉冲宽度为10皮秒以下的激光照射到包含所述层间短路的短路包含区域,把所述短路包含区域内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜除去。本发明能够抑制因层间短路引起的显示不良。 | ||
搜索关键词: | 显示 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示器件的制造方法,其包括以下步骤:形成布线板,所述布线板在基板上依次设有下层导电膜、绝缘膜和上层导电膜;修复层间短路,所述层间短路是在所述上层导电膜与所述下层导电膜之间发生的短路;以及在所述布线板上形成显示元件;其中,在修复所述层间短路的步骤中,将脉冲宽度为10皮秒以下的激光照射到包含所述层间短路的短路包含区域,把所述短路包含区域内的所述下层导电膜、所述绝缘膜和所述上层导电膜中的至少所述上层导电膜除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造