[发明专利]一种分析HBT器件高频稳定性的方法无效
| 申请号： | 201010105495.6 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101789046A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈延湖;李惠军 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L29/737 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人： | 邓建国 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分析HBT器件高频稳定性的方法，其步骤如下：选定HBT器件小信号等效电路模型为通用HBT共发射极T型小信号物理等效电路模型；由T型小信号等效电路模型推导HBT器件的Z参数矩阵；将HBT器件Z参数矩阵代入通用K稳定因子表达式，对通用K稳定因子表达式进行近似和简化，略去角频率的高阶项，得到K因子理论模型公式；将一个HBT器件对应的小信号模型参数数值代入K因子理论模型公式，获得器件K稳定因子曲线以及各个小信号物理模型参数对K稳定因子的影响曲线；根据各个小信号物理模型参数对K稳定因子的影响曲线，来判断各个小信号物理模型参数对K稳定因子的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分析 hbt 器件 高频 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种分析HBT器件高频稳定性的方法，其特征在于：其包括如下步骤：Step1：选定HBT器件小信号等效电路模型为通用HBT共发射极T型小信号物理等效电路模型；Step2：由T型小信号等效电路模型推导HBT器件的Z参数矩阵；Step3：将HBT器件Z参数矩阵代入通用K稳定因子表达式，对通用K稳定因子表达式进行近似和简化，略去角频率的高阶项，得到K因子理论模型公式；Step4：将一个HBT器件对应的小信号模型参数数值代入K因子理论模型公式，获得器件K稳定因子曲线以及各个小信号物理模型参数对K稳定因子的影响曲线；Step5：根据各个小信号物理模型参数对K稳定因子的影响曲线，来判断各个小信号物理模型参数对K稳定因子的影响。
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