[发明专利]纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途有效
| 申请号： | 201010105702.8 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101783391A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合，Ta2O5的存在一方面抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率和晶化温度，增加了材料的热稳定性；另一方面由于晶界密度的增加，材料的热导率减小，同时Ta2O5的引入提升了材料的介电常数，有利于器件阈值电压的减小。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 复合 相变 材料 制备 方法 作为 存储器 用途 | ||
【主权项】：
一种纳米复合相变材料，其特征在于包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料。
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