[发明专利]太阳能电池及其制作方法有效
| 申请号： | 201010105854.8 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101814539A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王品胜;周益钦;林士程;黄士育;杜嘉宸 | 申请（专利权）人： | 旺能光电(吴江)有限公司;旺能光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 215200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种太阳能电池及其制作方法。其中能够快速量产特征的高效率太阳能电池，在太阳能电池的正面发射区具有第一选择性发射区以及第二选择性发射区，多个电极，每一个电极覆盖了至少一部分的第二选择性发射区以及一部分的第一选择性发射区。上述的第一选择性发射区以及第二选择性发射区的深度都不小于0.2μm。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种结晶硅太阳能电池，包含：多个第一选择性发射区，设于该太阳能电池的一前表面；多个第二选择性发射区，其中，该第一选择性发射区的表面阻值高于该第二选择性发射区的表面阻值；以及多个电极，其中，每一个电极涵盖至少一部分第二选择性发射区与部分的第一选择性发射区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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