[发明专利]绝缘栅型半导体装置

摘要

本发明提供一种绝缘栅型半导体装置，在该装置中，由于在栅极焊盘部的下方配置有保护二极管，故不能配置晶体管单元而成为芯片上的无效区域。另外，源极电极层除去栅极焊盘部而配置，在元件区域端部的单元中，存在以自源极焊盘部绕过栅极焊盘部的方式形成有电流路径的区域。本发明的绝缘栅型半导体装置将电极结构设为两层，且与栅极焊盘部不重叠地配置保护二极管。在栅极焊盘部下方可以配置单元及第一层源极电极层，可以减小源极电极层内的电阻的偏差。并且，将保护二极管配置成与元件区域邻接而位于其外侧的芯片端部，且紧靠栅极焊盘部。由此，能够较大地确保可以有效进行晶体管动作的元件区域，并且可以降低配线部下方的第一源极电极层的电阻。

主权项

一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体基板；元件区域，其设于该半导体基板且配置有多个绝缘栅型晶体管的单元；第一端子电极层，其设于所述半导体基板上，不与所述元件区域的一部分直接接触而覆盖其上方，且与该元件区域连接；第二端子电极层，其设于所述半导体基板上，不与所述元件区域的其他部分直接接触而覆盖其上方，且具有焊盘部，该焊盘部固定向该元件区域施加控制信号的外部连接装置；以及保护二极管，其在所述元件区域外与该元件区域邻接而设置；使所述焊盘部和所述保护二极管不重叠地配置，并且所述保护二极管在所述半导体基板的周边部沿着所述半导体基板的一边而配置。