[发明专利]一种新型场发射器件支撑体结构无效
| 申请号： | 201010106320.7 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101777474A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 雷威;张晓兵;陈静;娄朝刚;王保平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J29/86 | 分类号： | H01J29/86;H01J31/12;H01J29/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210009江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种场发射器件支撑体结构，在金属基板(1)上制备阵列贯穿通道(2)；在金属基板(1)上表面设置上阵列介质支撑柱(3)；在金属基板(1)下表面同样设置下阵列介质支撑柱(4)，上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)的位置相对应；上阵列介质支撑柱(3)、金属基板(1)接触部分设置粘结剂，下阵列介质支撑柱(4)和金属基板(1)接触部分也设置粘结剂，通过粘结剂高温烧结使金属基板(1)、上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)形成一个整体；形成整体的金属基板和支撑体放置于阳极基板(5)和阴极基板(6)之间，通过封接排气，形成器件内的真空环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 发射 器件 支撑 结构 | ||
【主权项】：
一种场发射器件支撑体结构，其特征是在金属基板(1)上制备阵列贯穿通道(2)；在金属基板(1)上表面设置上阵列介质支撑柱(3)；在金属基板(1)下表面同样设置下阵列介质支撑柱(4)，上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)的位置相对应；上阵列介质支撑柱(3)、金属基板(1)接触部分设置粘结剂，下阵列介质支撑柱(4)和金属基板(1)接触部分也设置粘结剂，通过粘结剂高温烧结使金属基板(1)、上阵列介质支撑柱(3)和下阵列介质支撑柱(4)形成一个整体；形成整体的金属基板和支撑体放置于阳极基板(5)和阴极基板(6)之间，通过封接排气，形成器件内的真空环境。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010106320.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
