[发明专利]水平式发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010107573.6 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142497A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张智松;廖田福 | 申请（专利权）人： | 联胜光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京市中联创和知识产权代理有限公司 11364 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 中国台湾台中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水平式发光二极管及其制造方法，其包含一发光迭层、一透明导电层、一高反射层、一电性连通道与两个钉线电极层，其中该透明导电层对该发光迭层形成覆盖，且该高反射层形成于该透明导电层远离该发光迭层的一侧上，而该电性连通道贯穿该发光迭层至该透明导电层，以及两个钉线电极层，一个设于该发光迭层不具该透明导电层的一侧，另一个由该电性连通道电性连接该透明导电层，让这两个钉线电极层间有压降形成。本发明中电性连通道不需对位即可接触透明导电层，因此相当容易实施制做且可降低正向偏压，以及该透明导电层可让光透设而完全被该高反射层所反射，因此可增加发光效率满足所需。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种水平式发光二极管，其特征在于，包含：一发光迭层(20)；一透明导电层(40)，该透明导电层(40)对该发光迭层(20)形成覆盖；一高反射层(50)，该高反射层(50)形成于该透明导电层(40)远离该发光迭层(20)的那一侧；一电性连通道(60)，该电性连通道(60)贯穿该发光迭层(20)至接触该透明导电层(40)；以及两个钉线电极层(30)，一个所述钉线电极层(30)设于该发光迭层(20)上，另一个所述钉线电极层(30)由该电性连通道(60)电性连接该透明导电层(40)。
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