[发明专利]一种提高低辐射镀膜玻璃生产效率的方法无效
| 申请号： | 201010107683.2 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101786800A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 郭明;王秀丽;孟怡敏 | 申请（专利权）人： | 洛阳新晶润工程玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 郑州中民专利代理有限公司 41110 | 代理人： | 郭中民 |
| 地址： | 471003 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高低辐射镀膜玻璃生产效率的方法，在低辐射镀膜玻璃生产时，在镀膜室分别充入氮气和氩气，使总气体流量为0.5-2升/分钟，其中氮气占总量的40％-90％，氩气占总量的10％-60％，硅靶送电，开始溅射，玻璃从硅靶下通过，氮化硅就沉积在玻璃表面，形成氮化硅膜层。沉积同样厚度的氮化硅膜层，在低辐射镀膜玻璃生产线硬件不变的条件下，溅射沉积其它膜层参数不变的前提下，采用本发明可以降低硅靶的溅射功率1.2倍，节约电能；在溅射沉积所有膜层参数不变的前提下，采用本发明可以减少一半的硅靶装置及配套的溅射电源，节约设备投资。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 辐射 镀膜 玻璃 生产 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高低辐射镀膜玻璃生产效率的方法，其特征是：在低辐射镀膜玻璃生产时，在镀膜室分别充入氮气和氩气，使总气体流量为0.5-2升/分钟，其中氮气占总量的40％-90％，氩气占总量的10％-60％，硅靶送电，开始溅射，玻璃从硅靶下通过，氮化硅就沉积在玻璃表面，形成氮化硅膜层。
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