[发明专利]改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法有效
| 申请号： | 201010107743.0 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148130A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 杨华;季亮;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法，包括如下步骤：第一步，薄膜成长；第二步，湿法药液处理；第三步，光刻胶涂覆和曝光。本发明可以改善硅片批次之间受等待时间影响造成的关键尺寸差异，保证再工事前后的关键尺寸稳定性，且能够提供更好的光刻控制工艺能力。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 外部环境 敏感 表面 光刻 工艺 控制 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，薄膜成长；第二步，湿法药液处理；第三步，光刻胶涂覆和曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
