[发明专利]柔性CdTe薄膜太阳能电池制备方法有效
| 申请号： | 201010109118.X | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101794840A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 康丽霞;赖建明;苏青峰;张根发 | 申请（专利权）人： | 上海联孚新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 王法男;郭桂峰 |
| 地址： | 201201 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性CdTe薄膜太阳能电池制备方法，所述太阳能电池结构由不锈钢/石墨缓冲层/CdTe/CdS/ITO构成，CdS/CdTe组成PN结，其特征在于，采用如下的制备步骤：a、不锈钢衬底预处理；b、化学气相生长石墨缓冲层；c、在制备好石墨缓冲层的不锈钢衬底上使用近空间升华法生长CdTe薄膜；用CdCl2对CdTe薄膜进行退火处理；d、在制备好的CdTe薄膜的衬底上使用近空间升华法生长CdS薄膜；e、在不锈钢衬底上制备In2O3:F透明导电薄膜；f、获得柔性CdTe薄膜太阳能电池。该方法制作工艺简单，流水化作业，可以进行大规模的工厂化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 cdte 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性CdTe薄膜太阳能电池制备方法，所述太阳能电池结构由不锈钢/石墨缓冲层/CdTe/CdS/ITO构成，CdS/CdTe组成PN结，其特征在于，采用如下的制备步骤：a、不锈钢衬底预处理；b、化学气相生长石墨缓冲层；c、在制备好石墨缓冲层的不锈钢衬底上使用近空间升华法生长CdTe薄膜，用CdCl2对CdTe薄膜进行退火处理；d、在制备好的CdTe薄膜的衬底上使用近空间升华法生长CdS薄膜；e、在不锈钢衬底上制备In2O3:F透明导电薄膜；f、获得柔性CdTe薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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