[发明专利]硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备有效
| 申请号： | 201010109509.1 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101771098A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 岸本克史 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 光电 转换 装置 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种堆叠型硅基薄膜光电转换装置(100)，包括：形成于基板(1)上的透明导电膜(2)；和双pin结构堆叠体(30)；所述双pin结构堆叠体(30)由顺序形成于所述透明导电膜(2)上的第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)形成，并且各所述第一n型半导体层(13)和所述第二p型半导体层(21)具有不高于1×1019cm-3的杂质氮原子浓度和不高于1×1020cm-3的杂质氧原子浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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