[发明专利]对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法及制绒用的酸溶液无效
| 申请号： | 201010110071.9 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157602A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 倪党生;刘志伟;孙义荣;王亦天 | 申请（专利权）人： | 上海思恩电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201323 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对基片进行湿法化学磷扩散制PN结和制绒的方法，主要包括(1)采用磷酸对基片进行湿处理；(2)将基片送至加热炉中进行磷扩散，其中加热炉内的温度为800-900℃，加热时间为20-30分钟；(3)采用一种酸溶液对所述基片进行制绒，所述酸溶液是氢氟酸、硝酸、磷酸和表面活性剂的混合液；(4)最后用碱溶液和去离子水清洗基片并烘干。本发明使多晶硅基片单面扩散和制绒变得简单可行，不间断连续生产，极大提高了高质量PN结基片(如太阳能电池基片)的生产量，简单高效，成本低且无毒。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 湿法 扩散 方法 制绒用 溶液 | ||
【主权项】：
一种对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用磷酸对基片进行湿处理；(2)将基片送至滚式加热炉中进行磷扩散，其中加热炉内的温度为800‑900℃，加热时间为20‑30分钟；(3)采用一种酸溶液对所述基片进行制绒，所述酸溶液是氢氟酸、硝酸、磷酸和表面活性剂的混合液；(4)最后用碱溶液和去离子水清洗基片并烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
