[发明专利]一种含碳层的等离子刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010110098.8 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800174A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;高山星一;陶铮 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含碳层的等离子刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含碳层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；侧壁钝化步骤，提供一含碳氢成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含碳氢成份的聚合物，沉积在所述刻蚀界面的侧壁表面；交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。利用本方法可以精确刻蚀含碳层，防止污染物产生，同时保证较高的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含碳层 等离子 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种含碳层的等离子刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含碳层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；侧壁钝化步骤，提供一含碳氢成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含碳氢成份的聚合物，沉积在所述刻蚀界面的侧壁表面；交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司，未经中微半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010110098.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：松绳保护电路和系统电路
- 下一篇：并联式无菌敷料盒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
