[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201010110113.9 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101958334A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 尹丽镇;金钟奎;李俊熙 | 申请(专利权)人: | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;郭鸿禧 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的AC LED包括:衬底;至少一个串联阵列,其具有串联连接在衬底上的多个发光单元。发光单元的每一者包括:下半导体层,其由形成于衬底的顶部上的第一导电化合物半导体层组成;上半导体层,其由形成于下半导体层顶部上的第二导电化合物半导体层组成;活性层,其介于下半导体层与上半导体层之间;下电极,其形成于下半导体层上且在衬底的第一角落处暴露;上电极层,其形成于上半导体层上;以及上电极极板,其形成于上电极层上且在衬底的第二角落处暴露。上电极极板和下电极分别安置在对角线上彼此相对的角落处,且相应的发光单元经布置以使得发光单元的一者的上电极极板和下电极相对于发光单元的相邻的另一者的上电极极板和下电极而对称。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管(LED),包括衬底和在衬底上的两个发光单元,其中,每个发光单元包括:第一导电类型的下半导体层;第二导电类型的上半导体层,在第一导电类型的下半导体层上;下电极,形成在下半导体层上,并通过去除上半导体层的至少一部分而暴露;上电极,在上半导体层上;其中,每个发光单元中的上电极和下电极布置为与沿对角线彼此相对的角落相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的