[发明专利]化学机械研磨的残留物去除方法无效
| 申请号： | 201010110195.7 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157368A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械研磨的残留物去除方法，包括：将晶片表面与化学机械研磨机台的研磨垫接触；利用研磨液对晶片进行化学机械研磨；升起所述晶片；利用酸性溶液清洗所述晶片和研磨垫；利用去离子水清洗所述晶片和研磨垫，该方法可有效去除晶片表面的残留物，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 残留物 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨的残留物去除方法，包括：将晶片表面与化学机械研磨机台的研磨垫接触；利用研磨液对晶片进行化学机械研磨；升起所述晶片；利用酸性溶液清洗所述晶片和研磨垫；利用去离子水清洗所述晶片和研磨垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
