[发明专利]接触孔形成方法有效
| 申请号： | 201010110197.6 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157435A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种接触孔形成方法，包括：提供形成了一个以上栅极结构的半导体衬底；在所述半导体衬底以及栅极结构上沉积第一氧化硅-氮化硅-第二氧化硅的复合结构；在第一氧化硅-氮化硅-第二氧化硅的复合结构上沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充栅极结构之间的空隙并且厚度大于栅极结构的厚度；采用干法刻蚀工艺去除与栅极位置对应的多晶硅，只保留位于栅极结构之间的多晶硅；采用湿法刻蚀工艺去除暴露出的第二氧化硅；在暴露出的氮化硅层上以及多晶硅层上沉积介质层；平坦化所述介质层至暴露出多晶硅层；去除所述多晶硅层，形成接触孔。所述方法去除了干法刻蚀之后第二氧化硅层侧壁的多晶硅的残留。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔形成方法，其特征在于，包括步骤：提供形成了一个以上栅极结构的半导体衬底；在所述半导体衬底以及栅极结构上沉积第一氧化硅‑氮化硅‑第二氧化硅的复合结构；在第一氧化硅‑氮化硅‑第二氧化硅的复合结构上沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充栅极结构之间的空隙并且厚度大于栅极结构的厚度；采用干法刻蚀工艺去除与栅极位置对应的多晶硅层至暴露出第二氧化硅层；采用湿法刻蚀工艺去除暴露出的第二氧化硅；在暴露出的氮化硅层上以及多晶硅层上沉积介质层；平坦化所述介质层至暴露出多晶硅层；去除所述多晶硅层，形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
