[发明专利]一种栅极制造方法有效
| 申请号： | 201010110200.4 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157360A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 范建国;刘培芳;陆肇勇;蔡丹华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅极制造方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层，多晶硅层、硅化钨层；图案化所述硅化钨层、多晶硅层；还包括：对图案化的所述硅化钨层和所述多晶硅层进行普通高温炉退火，工艺条件为：N2流量≥25L/分钟，使腔体内2～4分钟后O2的含量为ppm级别，温度为650～850℃，高温炉排气端的压力为87pa～385pa，退火时间15-25分钟；在普通高温炉内执行氧化工艺，在所述硅化钨层和所述多晶硅层的侧壁形成侧墙。本发明方法省略了一个快速热退火步骤，减少了工艺步骤和使用设备，缩短了工艺时间，极大的提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极制造方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层，多晶硅层、硅化钨层；图案化所述硅化钨层、多晶硅层；其特征在于，还包括：对图案化的所述硅化钨层和所述多晶硅层进行普通高温炉退火，工艺条件为：N2流量≥25L/分钟，使腔体内2～4分钟后O2的含量为ppm级别，温度为650～850℃，高温炉排气端的压力为87pa～385pa，退火时间15‑25分钟；在普通高温炉内执行氧化工艺，在所述硅化钨层和所述多晶硅层的侧壁形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
