[发明专利]一种钛锡酸锶薄膜的用途无效
| 申请号： | 201010110227.3 | 申请日： | 2010-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101800282A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;周歧刚 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钛锡酸锶薄膜在阻变存储器中的应用。所述钛锡酸锶薄膜的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明的钛锡酸锶薄膜具有优良的电阻切变特性，可作为阻变存储器的介质层。将该薄膜用于阻变存储器中，可使具有“底电极/SrTi(1-x)SnxO3薄膜/顶电极”结构的存储单元表现出优异的具有记忆效应的电脉冲诱发电阻切变性能，具有新一代非挥发性阻变存储器的特点，并且具备新一代存储器所需要的高速度，低功耗读写特性；其高电阻态与低电阻态可以保持十年以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛锡酸锶 薄膜 用途 | ||
【主权项】：
钛锡酸锶薄膜在阻变存储器中的用途。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010110227.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：机动车刮压式拓印纸贴
- 下一篇：瓦楞纸板印刷开槽机的安全装置
