[发明专利]带扩散解离区域的等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201010110260.6 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101789354A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带扩散解离区域的等离子体处理装置，用于生成引入气体的电感耦合等离子体与基片反应，其特征在于，包含真空的处理腔室；设置在处理腔室的顶板上方且与处理腔室贯通连接的进气通道；进气通道上设置有第一线圈；进气通道的内部包含一第一扩散解离区域，其中生成有引入气体的电感耦合等离子体；处理腔室的顶板上设置有第二线圈。由于设置第一、第二线圈，使等离子体气体分子先后在第一、第二扩散解离区域经过两次电子轰击，被充分解离；更将垂直贯通的进气通道加宽加长，并在底部设为倒漏斗或喇叭状，且与基片对应设置，使经过轰击解离的等离子体，能被快速引到基片表面，增加基片表面的等离子体密度均匀性，以缩短处理反应的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 解离 区域 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种带扩散解离区域的等离子体处理装置，用于生成引入气体的电感耦合等离子体与基片(50)反应，其特征在于，包含：真空的处理腔室(10)；设置在处理腔室(10)的顶板(111，112，113)上方且与处理腔室(10)贯通连接的进气通道(201，202，203)；所述进气通道(201，202，203)上设置有第一线圈(31)；所述进气通道(201，202，203)的内部包含一第一扩散解离区域(41)，其中生成有所述引入气体的电感耦合等离子体；所述处理腔室(10)的顶板(111，112，113)上设置有第二线圈(32)。
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