[发明专利]一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料

摘要

本发明涉及一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料。本发明利用晶体硅各向异性腐蚀的特性机理，提出一种非牛顿型的膏体材料，包括重量百分数分别为5％-60％，5％-35％和20％-60％的碱性物质、隔离屏蔽剂和有机溶剂。本发明的膏体材料组分简单，制备方便，效果好，可在晶体硅单面制备均匀致密(高度≤1μ)的硅尖列阵，从而成倍增加晶体硅的表面面积，降低硅基材料的厚度，实现了单面制程，为晶体硅片的减薄提供了实现的基础；而且实验发现，通过控制膏体的溶质含量(20％-80％)可实现硅尖列阵的大小分布，制备方法简单方便，易于控制；另外利用本发明的膏体材料制备硅尖，可大大节约成本、降低能耗、减少对环境的污染。

主权项

一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料，包括碱性物质、隔离屏蔽剂和有机溶剂，其重量百分数分别为5％-60％，5％-35％和20％-60％，所述碱性物质为有机碱和/或无机碱。