[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201010110421.1 申请日: 2010-02-03
公开(公告)号: CN101794754A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 森昌吾;河野荣次;藤敬司 申请(专利权)人: 株式会社丰田自动织机
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/367
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏金霞;潘炜
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置,包括:绝缘基底,所述绝缘基底具有陶瓷基底和位于所述陶瓷基底的相反表面上的金属涂层;半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述绝缘基底的一个表面上;热沉,所述热沉直接或间接地固定至所述绝缘基底的另一表面,并经由所述绝缘基底与所述半导体芯片热连接;以及至少一个抗翘曲片,所述至少一个抗翘曲片设置在所述热沉的至少一个表面上。所述抗翘曲片由具有涂层的金属片制成并且具有介于所述绝缘基底的热膨胀系数与所述热沉的热膨胀系数之间的热膨胀系数。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:绝缘基底,所述绝缘基底具有陶瓷基底和位于所述陶瓷基底的相反表面上的金属涂层;半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述绝缘基底的一个表面上;热沉,所述热沉直接或间接地固定至所述绝缘基底的另一表面并经由所述绝缘基底与所述半导体芯片热连接;以及至少一个抗翘曲片,所述至少一个抗翘曲片设置在所述热沉的至少一个表面上;所述半导体装置的特征在于,所述抗翘曲片由具有涂层的金属片制成,并且所述抗翘曲片具有介于所述绝缘基底的热膨胀系数与所述热沉的热膨胀系数之间的热膨胀系数。
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