[发明专利]一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺有效
| 申请号： | 201010110718.8 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101789375A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘志弘;张伟;崔杰;许平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;关畅 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)将硅片背面研磨减薄并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅片背面注入硼离子；(5)进行炉管低温退火；(6)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面生成铝薄层，并合金处理；(7)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面依次制备钛、镍、银金属层。本发明由于在硅片背面采用先注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理，然后注入硼离子并进行低温退火，提高了注入硼杂质的激活率，因此增强了对漂移区的电导调制效应，有效地降低了导通电阻和导通电压。本发明可以广泛应用于半导体制作工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非穿通型 绝缘 双极晶体管 薄片 背面 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其步骤如下：(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)采用砂轮研磨方式，从非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片的背面，将硅片减薄到厚度为80～250um之间，并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅片背面经所述步骤(3)预非晶化处理后，再注入硼离子；(5)将硅片进行炉管低温退火；(6)采用溅射或蒸发工艺，在硅片背面生成铝薄层，并做合金处理；(7)采用溅射或蒸发工艺，在硅片背面的铝薄层上，依次制备钛、镍、银金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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