[发明专利]电荷检测装置及方法、固态成像装置及其驱动方法以及成像装置无效
申请号: | 201010111064.0 | 申请日: | 2010-02-03 |
公开(公告)号: | CN101800230A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 龟田俊辅;唐泽信浩 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146;H04N3/15 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋;梁韬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种电荷检测装置和电荷检测方法、固态成像装置及其驱动方法、以及成像装置。该电荷检测装置包括:基板,具有第一导电型的预定区域;第二导电型漏极区域,设置在基板的预定区域中;第二导电型源极区域,设置在基板的预定区域中;第二导电型沟道区域,设置在漏极区域和源极区域之间;栅极,经由在沟道区域上的绝缘膜形成;第二导电型电荷累积区域,设置在基板的预定区域中并且通过累积作为测量目标的信号电荷来改变具有漏极区域、源极区域以及栅极的晶体管的阈值电压;第一导电型沟道势垒区域,设置在沟道区域和电荷累积区域之间;以及电荷清除区域,清除在电荷累积区域中所累积的信号电荷。 | ||
搜索关键词: | 电荷 检测 装置 方法 固态 成像 及其 驱动 以及 | ||
【主权项】:
一种电荷检测装置,包括:基板,具有第一导电型的预定区域;第二导电型的漏极区域,设置在所述基板的所述预定区域中;第二导电型的源极区域,设置在所述基板的所述预定区域中;第二导电型的沟道区域,设置在所述漏极区域和所述源极区域之间;栅极,经由所述沟道区域上的绝缘膜形成;第二导电型的电荷累积区域,设置在所述基板的所述预定区域中,并且通过累积作为测量目标的信号电荷来改变具有所述漏极区域、所述源极区域以及所述栅极的晶体管的阈值电压:第一导电型的沟道势垒区域,设置在所述沟道区域和所述电荷累积区域之间;以及电荷清除区域,清除在所述电荷累积区域中所累积的信号电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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