[发明专利]一种高性能半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提出了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括利用栅替代工艺，首先形成伪栅堆叠和及其侧墙，以及源极区和漏极区，对所述源极区和漏极区进行退火，而后去除伪栅堆叠，利用去除伪栅堆叠所形成的开口对衬底进行基本垂直的离子共注入和/或斜角度的离子共注入以在开口下方的衬底中形成陡峭的倒掺杂阱和/或分别在源极区和漏极区附近形成离子注入区，而后对所述器件进行退火，以激活掺杂；在所述开口中沉积栅介质层和金属栅极。从而抑制了MOSFET器件中的带-带泄漏电流和源漏结电容增加，避免源极、漏极击穿，从而提高器件性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：a)提供一个衬底；b)在衬底上形成伪栅堆叠及其侧墙、源极区和漏极区，其中所述伪栅堆叠包括伪栅介质层和伪栅极层；c)对所述源极区和漏极区进行退火；d)覆盖所述源极区和漏极区形成内层介电层；e)去除所述伪栅堆叠以形成开口；f)从所述开口对衬底进行基本垂直的离子共注入以在开口下方的衬底中形成陡峭的倒掺杂阱；g)对所述器件进行退火，以激活掺杂；h)在所述开口中沉积栅介质层和金属栅极。