[发明专利]多层晶片堆叠间隙的填充方法与结构

摘要

本发明是有关于一种多层晶片堆叠间隙的填充方法与结构。依照该方法，提供一晶片堆叠结构，包含一基板与多个立体堆叠在基板上的晶片。在两两相叠的晶片之间形成有至少一底胶间隙，并与基板有一高度差。接着，翻转晶片堆叠结构并浸泡晶片堆叠结构的晶片于一底部填充胶内，其中底部填充胶储放于一储胶槽内并保持流动状态，以填满底胶间隙。之后，取出晶片堆叠结构并加热，以固化在底胶间隙内的底部填充胶。藉此，可以解决现有习知多层晶片堆叠的间隙无法点胶填充的问题，并可以使多个底胶间隙一次填充完成，以大幅提升生产效率。

主权项

一种多层晶片堆叠间隙的填充方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一晶片堆叠结构，其包含一基板与多个立体堆叠在该基板上的晶片，在两两相叠的晶片之间形成有至少一第一底胶间隙，并与该基板有一高度差；翻转该晶片堆叠结构并浸泡该晶片堆叠结构的该些晶片于一底部填充胶内，其中该底部填充胶是储放于一储胶槽内并保持流动状态，以填满该第一底胶间隙；取出该晶片堆叠结构；以及加热该晶片堆叠结构，以固化在该第一底胶间隙内的底部填充胶。