[发明专利]一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法无效
| 申请号： | 201010111479.8 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101840958A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨益郎;陈文仁;林群福 | 申请（专利权）人： | 昆山正富机械工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 215332 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物的薄片状材料，其中薄片状材料不超过50％，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，用以涂布在一钼层上，其中涂布完后的前驱层的孔隙率可以小于25％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 制作 铜铟镓硒 浆料 方法 | ||
【主权项】：
一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，其特征在于其是用以在非真空环境下不需要界面活性剂及接着剂制作一铜铟镓硒浆料或一铜铟镓硒(硫)浆料，该铜铟镓硒浆料或该铜铟镓硒(硫)浆料是用以涂布在一钼层上而形成一吸收层，该方法包括以下步骤：首先，依据一配方比例，混合具有薄片形状且含IB、IIIA族的二元或三元硒化物材料，以形成一原始混合粉末，且该IB族元素包括铜，该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料；接着，以原始VIA元素比例，再添加额外的VIA族元素粉末至该原始混合粉末中，并进行混合以形成一最后混合粉末，其中额外的VIA族元素为纯硒粉或纯硫粉或硒硫混合粉末；以及最后，添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌，藉以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的一浆料，且该浆料为该铜铟镓硒浆料或该铜铟镓硒(硫)浆料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山正富机械工业有限公司，未经昆山正富机械工业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010111479.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
