[发明专利]一种NAND闪存的转换层读写方法

摘要

本发明公开了一种NAND闪存的转换层读写方法，包括以下步骤：(1)系统启动还原掉电前NAND闪存的转换层的数据链；(2)检查数据链并修复；(3)检查当前可用块的数目；(4)等待系统调用；(5)根据系统调用命令进行相应的读写操作。其中，所述系统调用的读或者写操作如果符合多平面读或写操作，则使用这种方式读或写，如果系统调用的读命令为单平面读或写操作，则直接读出或写入相应页数据。本发明方法能够实现NAND闪存的均衡擦写，提高NAND闪存的寿命，使用NAND闪存的MULTIPLANE方式写，从而为整体写文件提速，从而提高读写的性能，实现NAND闪存的逆序写，提升跳写、回头写的性能。

主权项

一种NAND闪存的转换层读写方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、系统启动，从NAND闪存中读出所有物理块中的数据链的信息，还原掉电前NAND闪存的转换层的数据链；(2)、检查数据链是否因坏块或者掉电而被损坏，并对所述数据链进行修复；(3)、检查当前可用块的数目，如果可用块的数目小于系统给定的一个阀值时，则进行垃圾块回收过程；(4)、等待系统调用；(5)、根据系统调用命令中所要求的NAND闪存的转换层的逻辑地址找到与所述逻辑地址对应的数据链；如果系统调用命令为读命令将转向第(6)步，如果为写命令将转向第(8)步；(6)、查找读命令所要求的当前数据链的逻辑页，如果所述逻辑页中的所有物理页都是空页，将直接返回0Xff数据；否则，读出逻辑页中的最靠近数据链表头的非空物理页中的数据，并返回；(7)、读完操作后，返回第(4)步继续等待；(8)、查找写命令所要求的当前数据链的逻辑页，如果所述逻辑页的物理页中存在可用的物理页，则对该物理页进行写操作，如果不存在可用的物理页，则执行第(9)步；(9)、从系统可用块中分配一组新的物理块，并将数据写入所述新的物理块中；(10)、如果写成功，则将新的物理块加入到当前数据链中，并返回到第(4)步等待系统调用，如果写失败，则将该新的物理块标记为坏块，退回到第(9)步。