[发明专利]一种多晶硅薄膜材料的制造方法无效
| 申请号： | 201010111994.6 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101834122A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 彭俊华;黄飚;黄宇华 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：选定衬底，在该衬底上形成第一阻挡层；步骤2)：在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层和非晶硅层；步骤3)：对步骤2)所得产物进行第一退火处理，得到已部分晶化的薄膜；步骤4)：在上述已部分晶化的薄膜上形成金属吸附层；步骤5)：对步骤2)所得产物进行第二退火处理；步骤6)：去除经所述第二退火处理后的金属吸附层。本发明金属诱导层先于非晶硅形成，位于两层阻挡层间，且因制备的阻挡层上刻有槽型结构而与非晶硅层的距离不一致且非常小，这对于缩短热处理时间、提高晶粒尺寸、控制诱导金属往非晶硅层扩散启到了关键作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：选定衬底，在该衬底上形成第一阻挡层；步骤2)：在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层和非晶硅层；步骤3)：对步骤2)所得产物进行第一退火处理，得到已部分晶化的薄膜；步骤4)：在上述已部分晶化的薄膜上形成金属吸附层；步骤5)：对步骤2)所得产物进行第二退火处理；步骤6)：去除经所述第二退火处理后的金属吸附层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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