[发明专利]一种晶化薄膜的晶体管器件无效
| 申请号： | 201010111999.9 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101834212A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄宇华;黄飚;彭俊华 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶化薄膜的晶体管器件，包括：多晶硅薄膜、栅氧化层、绝缘层和金属互连层，其中，所述多晶硅薄膜包括玻璃衬底、阻挡层和具有连续晶畴的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的厚度为10-500纳米，所述多晶硅层中的晶粒均匀分布；其中，所述多晶硅层是通过在非晶硅薄膜上的覆盖层光刻诱导口、在所述诱导口使金属诱导薄膜和所述非晶硅薄膜接触并经过两次退火晶化形成的均匀多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种晶化薄膜的晶体管器件，包括：多晶硅薄膜、栅氧化层、绝缘层和金属互连层，其中，所述多晶硅薄膜包括玻璃衬底、阻挡层和具有连续晶畴的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的厚度为10-500纳米，所述多晶硅层中的晶粒均匀分布；其中，所述多晶硅层是通过在非晶硅薄膜上的覆盖层光刻诱导口、在所述诱导口使金属诱导薄膜和所述非晶硅薄膜接触并经过两次退火晶化形成的均匀多晶硅层。
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