[发明专利]一种氧化铝基多孔陶瓷材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010112097.7 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101792327A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 沈强;郑劲;熊远禄;陈斐;王传彬;张联盟 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B38/06 分类号: C04B38/06;C04B35/10;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 王守仁
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供的氧化铝基多孔陶瓷材料的制备方法,具体是:将有机硅树脂与氧化铝陶瓷粉料均匀混合,二者之体积配比为1∶1~4∶1;将混合粉体在100~150℃处理3~24小时蒸发溶剂,同时脱去有机硅中的自由水,获得氧化铝陶包覆粉体,研磨过筛后采用阶梯升温模压工艺制度将氧化铝陶包覆粉体成型,得到素坯试样;将素坯在800~1200℃惰性气氛保护下裂解,控制反应速率为100~300℃/小时,保温时间1~10小时,即得到一种氧化铝基多孔陶瓷材料。本发明裂解温度低、可重复性好、成本低廉,而且所制备的氧化铝基多孔陶瓷材料具有孔隙分布均匀、孔径尺度小、孔隙率较高和力学强度较高等优异性能。
搜索关键词: 一种 氧化铝 基多 陶瓷材料 制备 方法
【主权项】:
一种氧化铝基多孔陶瓷材料的制备方法,其特征是利用有机硅树脂作为粘结剂制备氧化铝基多孔陶瓷材料,其按下述步骤进行:(1)混合:将有机硅树脂作为粘结剂直接与氧化铝陶瓷粉料均匀混合,二者之体积配比为1∶1~4∶1;(2)前处理:将混合粉体在100~150℃处理3~24小时蒸发溶剂,同时脱去有机硅中的自由水,获得氧化铝陶包覆粉体;(3)阶梯升温模压成型:采用阶梯升温模压工艺制度成型的方法将氧化铝陶包覆粉体成型,得到素坯;(4)热处理和裂解:将素坯在800~1200℃惰性气氛保护下裂解,控制反应速率为100~300℃/小时和保温时间1~10小时,即得到所述氧化铝基多孔陶瓷材料。
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