[发明专利]磁场传感器和磁场测试仪无效

专利信息
申请号: 201010112530.7 申请日: 2010-02-01
公开(公告)号: CN102141602A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 陆樟献 申请(专利权)人: 陆樟献
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315100 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于磁性液体的双薄包层长周期光纤光栅强度型磁场传感器,其特征为:由双薄包层长周期光纤光栅和磁性液体组成。本发明还公开了采用磁性液体的双薄包层长周期光纤光栅强度型磁场传感器的磁场测试仪,它包括:LED光源、3dB光纤耦合器、采用磁性液体的双薄包层长周期光纤光栅强度型磁场传感器、光电探测器、数据接收及信号处理装置。本发明的技术特点是:体积小、系统简单、稳定性好、安全可靠、容易组网、传感器性能可根据实际需要来设计等独特优势。本发明在0℃到80℃温度范围条件下实现了磁场作用下基于经过传感器的光强度变化从而检测磁场变化的装置,灵敏度极高,测量磁场的分辨率达到了0.1奥斯特,测量范围为0奥斯特到1000奥斯特。
搜索关键词: 磁场 传感器 测试仪
【主权项】:
一种基于磁性液体的双薄包层长周期光纤光栅强度型磁场传感器,其特征在于:包括两个级联的相同参数的双薄包层长周期光纤光栅(5)组成,其中光纤为单模光纤。
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