[发明专利]在半导体装置中形成图案的方法及系统、以及半导体装置

摘要

本发明公开了一种在半导体装置中形成图案的方法及系统、以及半导体装置，用以图案化一形成于晶片上的光致抗蚀剂材料层，以形成半导体装置。本发明的技术方案包括提供一种双波长曝光系统，其通过两种曝光操作，其中一种为具有一第一波长的第一辐射，另一种为具有一第二波长的第二辐射。不同或相同的光刻设备可用来产生该第一及第二辐射。形成于半导体装置的每一裸片，该图案的一关键尺寸部分用该具有一第一波长的第一辐射来曝光，而该图案的一非关键尺寸部分则用该具有一第二波长的第二辐射来曝光。同时对具有第一波长的第一辐射及具有第二波长的第二辐射感应的光致抗蚀剂材料是被选择来使用。本发明具有较高生产量层级。

主权项

一种在半导体装置中形成图案的方法，包括以下步骤：提供一晶片，该晶片具有一光致抗蚀剂材料层形成于其上；通过以下步骤将该光致抗蚀剂材料层形成一图案：使用具有一第一波长的第一辐射对该图案的第一部分进行曝光，其中该第一波长为365nm、248nm、或193nm；以及使用具有一第二波长的第二辐射对该图案的第二部分进行曝光，其中该第二波长为电子束、或极限紫外线辐射。