[发明专利]射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010113496.5 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169895A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 廖英豪;傅春晓;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种射频金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极、漏极、栅极和衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，其特征在于，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
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