[发明专利]一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器无效
| 申请号： | 201010113783.6 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169720A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;吴雨欣;张佶;金钢 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路、输入/输出缓冲模块、检测电阻以及比较器，通过在电阻随机存储器中增加用于反馈的检测电阻和比较器，可以实现电阻随机存储器在写操作过程中避免过写或者误写操作现象，使电阻随机存储器相对其存储单元的工艺波动的敏感性降低。该电阻随机存储器具有可靠性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 现象 电阻 随机 存储器 | ||
【主权项】：
一种电阻随机存储器，包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路和输入/输出缓冲模块，其特征在于，还包括检测电阻和比较器，检测电阻用于反馈写操作时写驱动电路偏置于存储阵列中的被写存储单元的阻值变化，并将所述反馈的信号输入比较器，比较器的输出信号输入至写驱动电路，以使所写存储单元被写操作成功后自动关闭写驱动电路。
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