[发明专利]用于电子束直写光刻的设计方法有效
| 申请号： | 201010113800.6 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101826453A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 鲁立忠;郑仪侃;刘如淦;赖志明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于电子束直写光刻的设计方法包括提供电子束直写(EBDW)系统。对晶片生成网格，其中，网格包括网格线。对晶片进行集成电路的布局，其中，集成电路中基本上没有灵敏部件横跨网格的网格线。使用EBDW系统对晶片执行EBDW。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子束 光刻 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于晶片的集成电路的方法，所述方法包括：提供电子束直写(EBDW)系统；生成用于所述晶片的第一网格，其中，所述第一网格包括网格线；以及对所述晶片的集成电路进行布局，其中，所述集成电路中基本上没有灵敏部件横跨所述第一网格的所述网格线。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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