[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201010114210.5 | 申请日： | 2010-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101814567A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 赵基铉 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层和导电支撑构件。所述化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述电极层设置在所述化合物半导体层之下。所述导电支撑构件设置在所述电极层之下。其中所述导电支撑构件具有相对于所述化合物半导体层为约50％之内的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体层，其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在所述化合物半导体层之下的电极层；和在所述电极层之下的导电支撑构件，其中所述导电支撑构件相对于所述化合物半导体层具有在约50％之内的热膨胀系数差。
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