[发明专利]用于纯化含硅酸盐的氢气化钾蚀刻液的电渗析方法有效

专利信息
申请号: 201010114776.8 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN101811760A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 杨为梁;窦科帝;张广诚 申请(专利权)人: 联仕电子化学材料股份有限公司;金益世股份有限公司
主分类号: C02F1/469 分类号: C02F1/469;C01B33/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种用于纯化含硅酸盐的氢气化钾蚀刻液的电渗析方法,包含:提供一反应槽,包含一阴极、一阳极、及两阳离子透析膜,且该反应槽是由该两阳离子透析膜分隔成的一阴极室、一阳极室、及一介于其间的废液处理室;将一硫酸溶液注入该阳极室中;将一氢氧化钾溶液注入该阴极室中;将一含硅酸盐的氢氧化钾蚀刻废液导入该废液处理室中;以及施加各该室一电压及一电流密度,以使钾离子自该废液处理室经由该阳离子透析膜进入该阴极室。
搜索关键词: 用于 纯化 硅酸盐 氢气 蚀刻 电渗析 方法
【主权项】:
一种用于纯化含硅酸盐的氢气化钾蚀刻液的电渗析方法,包含:提供一反应槽,包含一阴极、一阳极、及两阳离子透析膜,且该反应槽是由该两阳离子透析膜分隔成一阴极室、一阳极室、及一介于其间的废液处理室;将一硫酸溶液注入该阳极室中;将一氢氧化钾溶液注入该阴极室中;将一含硅酸盐的氢氧化钾蚀刻废液导入该废液处理室中;以及施加各该室一电压及一电流密度,以使钾离子自该废液处理室经由该阳离子透析膜进入该阴极室。
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