[发明专利]改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法无效
| 申请号： | 201010114887.9 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101759186A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 唐前正;何劲;李钊;郭勇;赵伯君 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种成本较低的改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法和成本较低的生产三氯氢硅的方法。本发明改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法，包括如下步骤：a、硅粉与氯化氢反应制得三氯氢硅合成气，合成气经过干法除尘处理；b、除尘后的三氯氢硅合成气与湿气充分反应，反应后的气体再喷淋四氯化硅液体或通入四氯化硅液体中，得到液相1和气相1；c、气相1进入分离器，用四氯化硅液体洗涤，分离得到净化后的三氯氢硅合成气和液相2。本发明方法节约了多晶硅工厂的设备投资费用，为改良西门子法除硼、磷等杂质提供了一种新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 西门子 生产 多晶 工艺 方法 | ||
【主权项】：
改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法，其特征在于包括如下步骤：a、硅粉与氯化氢反应制得三氯氢硅合成气，合成气经过干法除尘处理；b、除尘后的三氯氢硅合成气与湿气充分反应，反应后的气体再喷淋四氯化硅液体或通入四氯化硅液体中，得到液相1和气相1；其中，所述湿气为氢气、二氧化碳、氮气、惰性气体中的一种与水蒸汽的混合气体，其湿度为8％～90％RH；c、气相1进入分离器，用四氯化硅液体洗涤，分离得到净化后的三氯氢硅合成气和液相2。
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