[发明专利]增益发光二极管出光效率的方法无效
| 申请号： | 201010115251.6 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157652A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郭明腾;陈彰和;张简庆华 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增益发光二极管出光效率的方法。本方法步骤包括提供发光二极管，依序包含基板、第一传导型的第一层、活性层、以及相对于第一传导型的第二传导型的第二层；在发光二极管的第一层、活性层、以及第二层中至少选定一层，于其上生长多个凸部，以形成图型化氧化层来保护发光二极管免于蚀刻；控制凸部的高度以达到发光二极管预定蚀刻深度；干蚀刻穿透未受图型化氧化层保护的部分发光二极管，以在发光二极管上形成多个凹陷；以及将氧化层自选定层移除。经图型化的发光二极管可发射出更多光束，因而提升出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 发光二极管 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种增益发光二极管出光效率的方法，其特征在于包括以下步骤：提供发光二极管，依序包含基板、第一传导型的第一层、活性层、以及相对于第一传导型的第二传导型的第二层；在发光二极管的第一层、活性层、以及第二层中至少选定一层，于其上生长复数个凸部，以形成图型化氧化层来保护发光二极管免于蚀刻；控制凸部的高度以达到发光二极管预定蚀刻深度；干蚀刻穿透部分的发光二极管，该部分未受图型化氧化层的保护，以在发光二极管上形成复数个凹陷；以及将氧化层自选定层移除。
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